TFT à base de Silicium
microcristallin
Olivier MENARD
Raphaël PROUST
Master 1 Electronique
2004-2005
Process de fabrication
de transistors dits couches minces à l’aide de Silicium microcristallin déposé en couches minces grâce à un procédé basse température (600°C)
Nettoyage RCA
Dépôt SiO
2
(EPCVD)
Isolation
Oxyde de Grille
Dépôt Silicium
Monocouche ou bicouche
Photolithogravure
4 masques.
Gravure
Silicium : Sèche
Oxyde : Humide
Recuit Forming Gas
Passivation,
optimisation contacts
Dépôt Alu
(Contacts)
Transistor en fin de Processus
Avantages:
Process facile à mettre en œuvre
Coût de fabrication faible
Performances élevées:
Utilisation écrans plats TFT
Inconvénients:
Instable, fragile
Compétences:
Maîtrise du processus,
Utilisation des machines
(insoleuse, graveuse,…)
Comparaison différents
procédés
Caractérisation, mesures