Etude de faisabilité du transistor MOSFET : Simulation électromagnétique, conception et mesure,
Aujourd’hui en hyperfréquence la tendance en électronique tend à miniaturiser le dimensionnement des composants électroniques tel que les transistors. En hyperfréquence les longueurs d’onde sont de plus en plus courtes ce qui signifie que le temps de passage d’un signal UHF à travers le canal d’un transistor de technologie MOS sera très court lui aussi. Cela amène à des difficultés de caractérisation de l’effet de propagation dans le canal ainsi que de travailler avec des amplifications de puissances relativement faibles. C’est pourquoi nous projetons dans ce projet de réaliser un transistor de taille centimétrique pour effectuer ensuite des tests en très haute fréquence, dans la bande de 1 à 10GHZ.


Compétences mobilisées
Etudier le fonctionnement du canal de MOSFET en RF.
Faire fonctionner le transistor et étudier le champ électromagnétique.
Etudier l’onde progager dans le canal.
Dans le pratique, on plante la grille et le canal couche par couche.
Simuler chaque rôle pour l’element parasite sous Ansoft Designer..

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XIANG Yong, SEO, 2008


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