Capteur de pression à base d'un transistor MOS,
Ce projet présente l’ étude et la réalisation d’un capteur de pression à base d’un transistor MOC. Le but est de réaliser un ensemble de transistors mos de formes et de tailles différentes qui répondent à la pression.
Le principe est que la tension de seuil du transistor change en fonction du pression appliquée au son canal.


Compétences mobilisées
Compétences mises en œuvre :

- Techniques de captage de pression.
- Réalisation d’un transistor MOS en salle blanche.
- Caractérisation électrique.

-:lien vers le poster ,

OULD SASS MOHAMED, CTS, 2010