Réalisation et caractérisation de TFT pour deux dépôts d'oxyde de grille (APCVD & PECVD),
L’objet de notre étude porte sur les transistors en couches minces (Thin Film Transistor) réalisés sur substrat de verre à basse température (<600°C).
Ce projet professionnel à pour but de déterminer les effets de deux procédés de dépôt d’oxyde de grille sur les caractéristiques électriques.

Les procédés utilisés sont :
PECVD (Plasma Enhanced chemical vapor deposit)
APCVD (Athmospheric pressure chemical vapor deposit)

Les caractéristiques cherchées :
La tension de seuil VT
La pente gm (la transconductance du transistor)
La pente 1/S(pente sous le seuil)
Le rapport Ion/Ioff
La mobilité µ



Compétences mobilisées
Compétences élaborées :
• Environnement salle blanche
• Différents dépôt des couches minces (APCVD, LPCVD, PECVD…)
• Photolithographie
• Différentes méthodes de gravure (gravure humide, sèche et plasma...)
• La caractérisation
• Exploitation des mesures
• Précision, rigueur

Pour nous contacter :
fatine253@hotmail.com
moumouuuute@hotmail.com

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Himdi Fatine Tourtelier Denis, MEEA, 2005