REALISATION D’UNE JONCTION P+ N,
Ce projet s’inscrit directement dans la lignée du cours Physique des Composants suivi au 1er semestre. Il s’agit ici de réaliser une diode P+N à partir d’un substrat en silicium, la finalité restant la caractérisation électrique de la jonction (tension de seuil, tension de claquage, rendement…) et ses applications envisageables.
Une diode est créée en accolant un substrat déficitaire en électrons (semi-conducteur type P, trous majoritaires) à un substrat riche en électrons libres (semi-conducteur type N, métal).

Le projet comprend ainsi l’ensemble des étapes de réalisation, accompagné des différents tests validant l’avancement de la diode.
Ce projet a également permis de mettre en évidence les exigences d’un processus expérimental (concentration de particules, la température, l'humidité et la pression…), sans considérer toutefois toute optimisation technologique pour sa réalisation.


Compétences mobilisées
• Connaissances de base sur les semi-conducteurs et la diode en particulier
• Protocole expérimental en salle blanche, et utilisation des appareils de test disponibles
• Méthodes de gravure humide, dopage, masquage et insolation

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GUENEGOU Florent - NDIAYE Mouhamadou - RUSQUET Germain, L3ET, 2010