Etude de faisabilité du transistor MOSFET : Simulation électromagnétique,
conception et mesure
Master SEO
2007/2008
Tuteur : MAHDJOUBI
Kouroch
Auteur : XIANG Yong
Simulation sous Ansoft Designer
Compétences
mobilisées :
-Etudier le fonctionnement du canal de MOSFET
en RF.
-Faire fonctionner le transistor et
étudier le champ électromagnétique. -Implanter la grille et le canal couche par couche sous Ansoft Designer.
-Simuler chaque rôle pour l’ élément parasite.
Objectifs :
Etudier et mesurer un transistor MOSFET de taille centimètrique par simulateur électromagnétique en haute
fréquence.
Aujourd’hui en hyperfréquence la tendance en
électronique tend à miniaturiser
le dimensionnement des composants électroniques tel que les transistors. En hyperfréquence les longueurs
d’onde sont de plus en plus courtes ce qui signifie que le temps de passage d’un signal UHF à
travers le canal
d’un transistor de technologie MOS sera très court. Cela amène à des difficultés de caractérisation de l’effet de
propagation dans le canal.